PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性

• 作者: 励旭东 卢殿通 李艳 王文静 许颖 赵玉文 顾亚华
• 来源期刊: 中山大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 PECVD 退火
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 所属期刊栏目: 能源与环境材料国际研讨会专栏
• 页码范围: 75-77
• 页数: 3页
• 分类号: TQ17
• 字数: 380字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0529-6579.2003.z1.022

摘要

利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了氮化硅薄膜,反应气体为氨气和硅烷.这些薄膜在不同条件(温度、时间和气氛)下进行了炉温或快速退火.对太阳电池而言,氮化硅薄膜不仅是有效的减反射层而且也有表面钝化和体钝化作用.利用椭圆偏振光谱、反射谱、红外吸收谱和准稳态光电导(QSSPC)分析了氮化硅薄膜的特性.实验发现随着退火温度的增加,氮化硅薄膜的厚度下降而折射率增加,可以归因于在退火过程中,薄膜愈加致密.红外吸收谱的研究发现,氮化硅中氢的含量在退火过程中有明显的下降,而QSSPC测量的样品寿命有同样的变化.这些结果显示氮化硅的钝化作用与其中的氢含量有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳	北京师范大学低能核物理研究所	47	236	9.0	14.0
2	许颖		39	349	12.0	17.0
3	王文静		35	350	10.0	18.0
4	励旭东	北京师范大学低能核物理研究所	7	28	3.0	5.0
5	卢殿通	北京师范大学低能核物理研究所	7	15	2.0	3.0
6	赵玉文		13	262	5.0	13.0
7	顾亚华	北京师范大学低能核物理研究所	3	9	2.0	3.0