a-SiNx/nc-Si/a-SiNx双势垒结构中的电荷隧穿和存储效应

• 作者: 宋捷 李伟 王祥 郭艳青 陈坤基 黄锐
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: nc-Si量子点 电导峰 存储效应
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 608-613
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

在等离子体增强化学气相沉积系统中利用大氢稀释逐层淀积技术制备nc-Si量子点阵列,用硅烷和氨气混合气体淀积氮化硅层,制备了a-SiNx/nc-Si/a-SiNx不对称双势垒结构,其中隧穿和控制a-SiNx层的厚度分别为3和20nm.利用电导-电压和电容-电压测量研究结构中的载流子隧穿和存储特性.在同一样品中观测到由于电荷隧穿引起的电导峰和由于电荷存储引起的电容回滞现象.研究结果表明,合理地选择隧穿层和控制栅层的厚度,就能够实现载流子发生共振隧穿进入到nc-Si量子点中,并被保存在nc-Si量子点中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	南京大学物理系	61	167	6.0	10.0
2	陈坤基	南京大学物理系	31	53	5.0	6.0
3	王祥	韩山师范学院物理与电子工程系	9	14	2.0	3.0
5	黄锐	韩山师范学院物理与电子工程系	9	7	2.0	2.0
6	郭艳青	韩山师范学院物理与电子工程系	9	12	2.0	3.0
7	宋捷	韩山师范学院物理与电子工程系	9	7	2.0	2.0