SiH2Cl2-NH3配比对a-SiNx:H薄膜PL峰的影响

• 作者: 刘渝珍 奎热西 王小波 董立军 陈大鹏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米硅镶嵌结构 SiNx膜 光致发光 低压化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 502-506
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3:O482.31
• 字数: 2980字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.04.017

摘要

低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H薄膜,在3.75 eV的激光激发下,室温下发射1～3个高强度的可见荧光.在相同的沉积温度下(900℃),选择不同的SiH2Cl2和NH3气体配比时,所得薄膜表现出不同的荧光属性,荧光峰的峰位和数目有着显著的变化.通过TEM、IR、XPX等分析手段对其原因进行了研究分析,认为不同配比下,生成的薄膜中缺陷态的种类和密度有所不同,这影响了其PL峰个数及其各峰的相对强弱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	奎热西	中国科学院高能物理所	15	37	4.0	5.0
2	陈大鹏	中国科学院微电子研究所	79	466	10.0	17.0
3	董立军	中国科学院微电子研究所	11	46	4.0	6.0