SiH2Cl2-NH3-N2体系热壁LPCVD Si3N4膜工艺研究

• 作者: 吴嘉丽 谭刚
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 二氯甲硅烷-氨体系 LPCVD 氮化硅薄膜 折射率
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 材料科学与技术
• 页码范围: 318-321
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1730字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2004.z1.072

摘要

介绍了利用SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD制备Si3N4薄膜的工艺,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的厚度及折射率.结果表明:当原料气中氨气与二氯甲硅烷的流量之比(R)较小时(R≤2),获得富Si的Si3N4薄膜,折射率较高.当氨气远远过量时(R＞4),折射率处于1.95～2.00之间.在适当的工艺条件下,获得的Si3N4薄膜表面均匀、平整,折射率达到理想值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭刚		1	0	0.0	0.0
2	吴嘉丽		1	0	0.0	0.0