SiH2CL2-NH3-N2体系LPCVD Si3N4薄膜因素分析

• 作者: 吴嘉丽 谭刚
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 物理学
• 关键词: SiH2CL2-NH3-N2体系 LPCVD 氮化硅薄膜 淀积速率
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2005.z1.008

摘要

以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜.考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对Si3N4薄膜淀积速率的影响.结果表明:Si3N4薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增大,随着原料气中氨气和二氯甲硅烷的流量之比的增大单调减小.随着反应温度的升高,淀积速率逐渐增加,在840 ℃附近达到最大,随后迅速降低.在适当的工艺条件下,制备的Si3N4薄膜均匀、平整.较低的薄膜淀积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴嘉丽	中国工程物理研究院电子工程研究所	17	110	6.0	10.0
2	谭刚	中国工程物理研究院电子工程研究所	10	47	4.0	6.0