不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响

• 作者: 文锺源 杨成绍 林亮 林致远 王章涛 邹志翔 马骏 黄寅虎
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 高开口率高级超维场转换技术 非晶硅 薄膜电晶体 双栅极
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 460-463
• 页数: 4页
• 分类号: TN873+.93
• 字数: 1145字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20163105.0460

摘要

本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响.实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升Ion7％、降低SS 3％、同时对Ioff以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果.顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄寅虎		3	2	1.0	1.0
2	王章涛		3	2	1.0	1.0
3	林致远		2	0	0.0	0.0
4	杨成绍		2	0	0.0	0.0
5	邹志翔		2	0	0.0	0.0
6	文锺源		2	0	0.0	0.0
7	马骏		1	0	0.0	0.0
8	林亮		1	0	0.0	0.0