a-Si剩余膜厚对TFT特性的影响

• 作者: 孙耒来 王思江 王恺 王瑞 田茂坤 董晓楠 袁剑峰 谌伟 赵永亮 闵泰烨 黄中浩
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: a-Si剩余量 电学特性 工作电流 漏电流
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 646-651
• 页数: 6页
• 分类号: TN27
• 字数: 2250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20193407.0646

摘要

本文通过电学特性测试设备在黑暗(Dark)和光照(Photo)两种测试环境下,研究了沟道不同a-Si剩余厚度对TFT电学特性的影响.通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si剩余厚度,找出电学特性稳定区域以及突变的临界点.实验结果表明:在黑暗(Dark)环境下a-Si剩余厚度在30％ ～48％ 之间时,TFT器件的电学特性比较稳定,波动较小;而剩余厚度少于30％ 时,TFT特性变差,工作电流变小,开启电压变大,电子迁移率变小;在光照环境下主要考虑漏电流的影响,在a-Si剩余厚度43％ 以内时,光照Iof相对较低(小于Spec 20 pA),同时变化趋势较缓;而剩余厚度大于43％ 时,光照Iof增加25％,同时变化趋势陡峭.综合黑暗和光照测试环境,在其他条件不变的情况下,a-Si剩余厚度在30％ ～43％ 之间时TFT的电学特性较好,同时相对稳定.