a-Si:H TFT亚阈值区SPICE模型的研究

• 作者: 李梅 王丽娟 邵喜斌
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: a-Si:H TFT SPICE模型 亚阈值区
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 267-272
• 页数: 6页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 2690字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2005.04.001

摘要

研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶H TFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化.提出的新模型考虑了前界面态、后界面态、局域态、材料及制作工艺等因素,体现了该区域电流对漏源电压VDS强烈的依赖关系.使用新模型对实验数据的拟合结果优于以往的模型,能够比较精确地模拟亚阈值区的特性,可用来预测a-Si∶H TFT的性能,对TFT阵列的模拟设计具有重要价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵喜斌	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	12	137	5.0	11.0
3	王丽娟		6	15	2.0	3.0
5	李梅	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	10	29	3.0	4.0