塑料基底a-Si:H TFT制备技术

• 作者: 佘峻聪 姚建可 王彬 许宁生 邓少芝 陈军
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 塑料基底 a-Si:H TFT 柔性显示
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 542-545
• 分类号: O753.2
• 字数: 2156字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.018

摘要

采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si:H TFT阵列(20×20).用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si:H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si:H薄膜和n+a-Si:H薄膜的电导率.a-Si:H薄膜中的H(原子数分数)约为15.6%,H主要以SiH和SiH2基团的形式存在,其电导率为8.2×10-7～8.8×10-6 S/cm;n+a-Si:H薄膜的电导率为3.8×10-3 S/cm.所制备的TF工具有以下性能:Ioff≈1×10-14 A,Ionn≈1×10-9 A,Ion/Ioff≈105,Vth≈5 V,μ≈0.113cm2/(V·s),S≈2.5 V/dec,满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求.