a-Si:H TFT OLED驱动电路中存储电容对显示性能的影响

• 作者: 何大伟 刘宏宇 张晓龙 李云飞 王刚 王永生 邵喜斌
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: OLED 有源驱动 存储电容 充电率
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 572-577
• 页数: 6页
• 分类号: TN27|TN304.5
• 字数: 3834字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.010

摘要

对OLED两管a-Si: H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永生	北京交通大学光电子技术研究所	53	252	9.0	13.0
2	张晓龙	吉林大学术计算机科学与技木学院	8	16	3.0	4.0
3	邵喜斌	京东方科技集团股份有限公司中央研究院	11	116	6.0	10.0
4	王刚	京东方科技集团股份有限公司中央研究院	8	108	5.0	8.0
5	刘宏宇	吉林大学术计算机科学与技木学院	12	82	6.0	9.0
6	李云飞	北京交通大学光电子技术研究所	1	7	1.0	1.0