驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

• 作者: 付国柱 刘金娥 廖燕平 李世伟 荆海 邵喜斌 高文涛 齐小薇
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: OLED 阈值电压漂移 N/Si C-V 2-a-Si:HTFT
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 660-667
• 页数: 8页
• 分类号: TN27|TN321.5
• 字数: 4860字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.014

摘要

a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的.针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试.制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入.设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8 pF.运用7PEP生产工艺,制作了13 cm(5.2 in)的TFT阵列样品.对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10 μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341 cd/m2.