高性能a-Si:H TFT开关器件的研制

• 作者: 刘传珍 刘宏武 吴渊 廖燕平 朱永福 李牧菊 杨柏梁 王刚 袁剑峰 邵喜斌 黄锡珉
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: a-Si HTFT开关器件 有源层 栅绝缘层 界面特性
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 181-186
• 分类号: TN141.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.005

摘要

介绍了a-Si:H TFT开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作.研制了a-Si∶H TFT单管器件,其开关电流比达到6个数量级,为最终研制a-Si∶H TFT AMLCD视频图像显示器奠定了坚实的基础.