气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响

• 作者: 姜宇鹏 李伟 杨光 蒋亚东 金鑫 陈宇翔
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 傅里叶变换红外光谱 气体压强 氢化非晶硅 光学性能 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 730-733
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3357字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.037

摘要

用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20～80 Pa)对薄膜折射率、消光系数、光学带隙以及氢含量的影响;用激光拉曼光谱研究了气体压强对a-Si:H薄膜微结构的影响,并与薄膜的光学性能进行了综合讨论.结果表明,随着辉光放电气体压强的增加,a-Si:H薄膜的光学带隙和氢含量都有不同程度的增大,但折射率和消光系数却逐步减小;与此同时,薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋亚东	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	318	2024	18.0	25.0
2	李伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	75	359	10.0	14.0
3	杨光	电子科技大学光电信息学院	5	27	2.0	5.0
4	姜宇鹏	电子科技大学光电信息学院	2	4	2.0	2.0
5	陈宇翔	电子科技大学光电信息学院	2	7	2.0	2.0
6	金鑫	电子科技大学光电信息学院	3	13	2.0	3.0