辉光功率对n型a-Si:H薄膜结构及性能的影响

• 作者: 冯晋阳 夏冬林 殷官超 赵修建 马晓
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化非晶硅薄膜 有序度 折射率 拉曼光谱 暗电导率
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 338-342
• 分类号: O484
• 字数: 3064字
• 语种: 中文

摘要

采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,以氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,磷烷(PH3)为掺杂气体,制备了n型氢化非品硅(a-Si:H)薄膜.研究了辉光放电功率对薄膜微结构和光电性能的影响,采用XRD和拉曼散射光谱对薄膜的微结构进行了表征,薄膜的折射率通过NKD-7000 W光学薄膜系统拟合,薄膜暗电导率利用高阻仪测试.结果表明:在辉光功率30～150 W范国内,所沉积的磷掺杂的硅薄膜为非晶态;非晶态薄膜结构中程有序度随辉光功率的增大先增人后减小,在功牢为100 W时非晶硅薄膜中程有序程度最高;薄膜的折射率随着辉光功率的增大先增加后减小,在功率为70 W达到最大值3.7;薄膜暗电导率在100 W最大,其最人值为9.32×10-3S/ cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵修建	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	220	2735	25.0	43.0
2	夏冬林	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	43	437	11.0	20.0
3	冯晋阳	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	18	195	8.0	13.0
4	马晓	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	4	12	2.0	3.0
5	殷官超	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	4	13	2.0	3.0