H2流量对直流磁控溅射制备a-Si∶H薄膜微观结构及光学性能的影响

• 作者: 乔泳彭 张岩 牛毅 蒋百灵 鲁媛媛
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控溅射 H2流量 a-Si∶H薄膜 光学性能
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 2280-2287
• 页数: 8页
• 分类号: TB321
• 字数: 3825字
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射法在不同H2流量的条件下制备了a-Si∶H薄膜,研究了H2流量对薄膜微观结构以及光学性能的影响.结果表明:随H2流量的增加,a-Si∶H薄膜的沉积速率有所下降,但其原子排列的有序度上升,并出现了细小的纳米晶粒,使得薄膜的无序结构得到了一定改善.同时,薄膜的光学性能也表现出明显变化,其中透过率持续上升,而光学带隙则呈现出先增大后减小的趋势.最终得到制备a-Si∶H薄膜的最优H2流量为15 sccm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋百灵	西安理工大学材料科学与工程学院	241	5240	40.0	64.0
2	乔泳彭	西安理工大学材料科学与工程学院	4	13	2.0	3.0
3	鲁媛媛	西安理工大学材料科学与工程学院	8	27	4.0	5.0
4	牛毅	西安理工大学材料科学与工程学院	1	4	1.0	1.0
5	张岩		3	6	1.0	2.0