基片温度对掺磷a-Si:H薄膜光电性能的影响

• 来源期刊: 实验科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 基片温度 a-Si:H薄膜 RF-PECVD 电阻率 光学性能
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 实验技术
• 页码范围: 10-13,72
• 页数: 5页
• 分类号: O43|TN304.055
• 字数: 3736字
• 语种: 中文

摘要

采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.研究了不同基片温度对薄膜沉积速率、电阻率、折射率以及光学带隙等的影响.结果表明:a-Si:H薄膜的沉降速率随着基片温度的升高而增大;薄膜的电阻率随着基片温度的增加而迅速下降,并在250℃达到最低值;a-Si:H薄膜的折射率随着基片温度的增加而增大,但光学带隙随着基片温度的增加而减小.