厚度对a-Si∶H薄膜性能的影响

• 作者: 钱祥忠
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: a-Si∶H薄膜 薄膜厚度 光学性质 电学性质
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 40-42
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1426字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2002.01.010

摘要

用等离子体增强化学气相沉积法在最佳工艺参数下在硼玻璃基片上沉积了厚度为1 μm以下的不同厚度的a-Si∶H薄膜.测量了薄膜厚度对它的光电性质的影响.结果表明,当膜厚增加时,a-Si∶H薄膜暗电导、光电导和阈值电压增大,光学带隙和Raman谱的TA模与TO模峰值比减小,折射率几乎不变,光吸收系数和通断电流比先增大,达到最大值后又减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱祥忠	电子科技大学光电子技术系	8	17	3.0	3.0