基板支撑梢对TFT栅界面SiNx和a-Si成膜特性的影响

• 作者: 孙亮 朱夏明 林承武 王守坤 袁剑峰 郝昭慧
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体增强化学气相沉积法 基撑梢 氮化硅膜 氢化非晶硅膜 傅里叶红外分析
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 材料物理和化学
• 页码范围: 613-617
• 页数: 5页
• 分类号: TN87
• 字数: 2573字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20122705.0613

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究.结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域,氢含量及[SiH/NH]值高于非基板支撑梢；对氢化非晶硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)小于非基板支撑梢区域,氢含量高于非基板支撑梢.并对成膜影响的机理进行了分析讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁剑峰		12	32	4.0	4.0
2	王守坤		3	8	2.0	2.0
3	林承武		4	26	2.0	4.0
4	郝昭慧		2	11	2.0	2.0
5	孙亮		1	5	1.0	1.0
6	朱夏明		1	5	1.0	1.0