PECVD工艺参数对双层SiNx薄膜性能的影响

• 作者: 何文红 周艺 欧衍聪 肖斌 胡旭尧 郭长春
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双层SiNx 减反膜 工艺参数 薄膜性能
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 827-830
• 分类号: TM914.41
• 语种: 中文

摘要

采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiN；薄膜，研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响，并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现：衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响，且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡旭尧	长沙理工大学化学学院	1	5	1.0	1.0