低频PECVD设备沉积的AlOx/SiNx钝化膜的性能研究

• 作者: 周小荣 李明 赵增超 郭艳 黄嘉斌
• 来源期刊: 太阳能
• 学科: 物理学
• 关键词: 低频PECVD设备 氧化铝 少子寿命 等离子体表面处理 钝化 太阳电池
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 技术应用
• 页码范围: 55-59
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.8
• 字数: 3057字
• 语种: 中文

摘要

对低频PECVD设备沉积的应用于PERC太阳电池上的AlOx/SiNx钝化膜的性能进行了研究.通过少子寿命测试发现,低频PECVD设备直接沉积的AlOx/SiNx钝化膜的钝化性能较弱,载流子复合严重;利用傅里叶红外光谱(FTIR)对造成该现象的原因进行了分析,结果发现,一是因为Si-AlOx界面无足够的氧化层,二是因为AlOx膜层内的Al-O四面体结构占比偏小.通过在低频PECVD设备沉积AlOx膜后通入N2O/NH3气体进行等离子体表面处理工艺,抑制了表面的载流子复合,显著改善了AlOx/SiNx钝化膜的钝化性能,使小批量生产的PERC太阳电池的平均转换效率达到了22.48％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵增超		4	3	1.0	1.0
2	李明		3	0	0.0	0.0
3	周小荣		2	0	0.0	0.0
4	郭艳		2	0	0.0	0.0
5	黄嘉斌		1	0	0.0	0.0