p-Si TFT的电场增强MILC制备技术

• 作者: 曾祥斌
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 金属诱导侧向晶化 电场增强晶化 多晶硅薄膜 薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 页码范围: 85-87
• 页数: 3页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 2062字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2006.07.027

摘要

采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,并采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65 cm2/(V·s),开关态电流比为5×106.采用拉曼光谱分析、X射线衍射、扫描电镜等微观分析手段对多晶硅薄膜进行了分析,结果表明加电场于两电极之间有促进多晶硅薄膜晶化的作用.采用EFE-MILC技术获得了大的晶粒尺寸,并用此技术制备了p沟多晶硅TFT.表明EFE-MILC技术是在低温下获得大晶粒尺寸p-Si薄膜和高性能p-Si TFT的好方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾祥斌	华中科技大学电子科学与技术系	45	285	10.0	14.0