n-ZnO/p-Si异质结UV增强型光电探测器的研究

• 作者: 傅竹西 林碧霞 王丽玉 王克彦 谢家纯
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 UV增强型探测 异质结 宽禁带
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: HIC技术
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TN32
• 字数: 1857字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.01.013

摘要

采用平面工艺,在p+-Si背底上电子束蒸发Al制作欧姆电极,在p-Si外延层上溅射掺Al的 ZnO薄膜,再蒸发Al作有源区欧姆电极,研制成n-ZnO/p-Si异质结UV(ultraviolet)增强型光电探测器.测试结果表明:器件明显增强了200～400 nm紫外光的响应,同时保持了传统的Si探测器对波长大于400 nm波段的光谱响应,在330,420,468、525 nm附近有四个明显的光谱峰值响应.器件光致发光谱(PL)在371 nm处有发光峰值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学技术大学物理系	53	808	17.0	27.0
2	林碧霞	中国科学技术大学物理系	32	700	16.0	26.0
6	谢家纯	中国科学技术大学物理系	16	181	8.0	13.0
7	王克彦	中国科学技术大学物理系	3	69	3.0	3.0
8	王丽玉	中国科学技术大学物理系	4	86	4.0	4.0