ZnO纳米线阵列/p-Si异质结的合成及其整流特性

• 作者: 何豪 徐玉睿 李新建 王文闯 王新昌 田永涛 程萍
• 来源期刊: 郑州大学学报（理学版）
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO阵列 异质结 CVD法 整流 理想因子
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 87-90
• 分类号: TB321
• 字数: 2126字
• 语种: 中文

摘要

利用化学汽相沉积,在没有催化剂的p-Si衬底上一步合成ZnO纳米线阵列,构成ZnO阵列/p-Si异质结.电流-电压性能测试显示该结构具有较好的整流特性,漏电流较小,4 V时约为0.05mA.异质结理想因子偏高,1.86(0.5～2.25 V)和5.92(在2.25～2.7 V),主要原因可能ZnO纳米线阵列底与Si之间存在较高的缺陷密度.提供了一种简单的合成ZnO阵列/p-Si异质结方法,不需要在Si衬底上预先合成ZnO缓冲层和催化剂,同时结构具有较好整流性能,对ZnO器件的设计合成及应用有一定的参考价值.