磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究

• 作者: 何波 宁欢颇 张晓东 徐静 沈晓明 王春瑞 莫观孔 邢怀中
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米晶GZO/CdS双层膜 磁控溅射 异质结 电流-电压 (Ⅰ-Ⅴ) 特性
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 44-49
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.01.008

摘要

采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO) /CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件.纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性, 通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征.GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性.在±3 V时, 整流比IF/IR (IF和IR分别表示正向和反向电流) 已达到21.结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性, 在反向偏压下获得高光电流密度.纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性.由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间, 它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层, 能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态.因此, 我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静	上海大学分析测试中心	25	313	8.0	17.0
2	邢怀中	东华大学应用物理系	14	45	5.0	5.0
3	宁欢颇	东华大学应用物理系	1	1	1.0	1.0
4	王春瑞	东华大学应用物理系	2	3	1.0	1.0
5	张晓东	东华大学应用物理系	1	1	1.0	1.0
6	莫观孔	广西大学资源环境与材料学院	1	1	1.0	1.0