直流磁控溅射功率对溅射生长GZO薄膜光电性能的影响

• 作者: 仲召进 吴可凡 姚婷婷 张宽翔 彭寿 曹欣 李刚 杨勇 王芸 蒋继文 金克武 马立云
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: GZO薄膜 溅射功率 电学性能 光学性能
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 747-751,814
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 字数: 4228字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.05.012

摘要

本文采用直流磁控溅射沉积系统在玻璃基底上沉积镓掺杂氧化锌(GZO)薄膜,将溅射功率从120W调整到240W,步长为30W,研究功率变化对GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能的影响.结果表明,溅射功率对GZO薄膜电阻率有显著的影响.溅射功率为210W时薄膜呈现最低电阻率为3.31×10-4Ω·cm,可见光波段平均光学透光率接近84％.随着溅射功率的增加,薄膜表面形貌和生长形态发生较大变化,并直接得到具有一定凸凹不平的微结构,GZO薄膜的致密性先增加后降低.