磁控溅射沉积含He纳米晶钛膜制备

• 作者: 刘宁 吴兴春 安竹 宋应民 庞洪超 彭述明 杨本福 段艳敏 罗顺忠 郑思孝 龙兴贵
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 磁控溅射 氦含量 氦钛膜 平均晶粒尺寸
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 快报
• 页码范围: 644-647
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2007.06.002

摘要

采用直流磁控溅射方法,通过分别改变衬底温度及He分压来制备不同氦含量的钛膜.利用PBS、XRD、TEM及AFM分别对钛膜中的He含量、平均晶粒尺寸及膜的表面形貌进行分析.结果表明:在不同温度范围内,温度变化对所制备钛膜中He含量的影响明显不同;He含量与晶粒尺寸直接相关,氦原子进入钛膜后,抑制了晶粒的长大;随着钛膜中He与Ti的原子个数比由1.0%增加到11.9%,TEM测得的平均晶粒尺寸由约35 nm减小到约4 nm;选择合适的He分压,能够制备出He含量较高的氦钛膜.