ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响

• 作者: 傅竹西 刘磁辉 彭聪 朱俊杰 杨震 林碧霞 陈宇林
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 深能级瞬态谱(DLTS) PL谱 缺陷 新施主
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 218-222
• 页数: 5页
• 分类号: O482.3
• 字数: 2952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.03.003

摘要

利用深能级瞬态谱(DLTS)和光致发光谱(PL),研究了ZnO/p-Si异质结的两种不同温度(850℃,1 000℃)退火下的深能级中心.发现850℃退火的样品存在3个明显的深中心,分别为E1=Ev+0.21eV,E2=Ev+0.44eV,E3=Ev+0.71eV;而1 000℃退火样品仅存在一个E1=Ev+0.21eV的中心,且其隙态密度要比850℃退火的大.同时,测量了两个样品的PL谱.发现1 000℃退火可消除一些影响发光强度的深能级,对改善晶格结构,提高样品的发光强度有利.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学技术大学物理系中国科学技术大学	53	808	17.0	27.0
2	刘磁辉	中国科学技术大学物理系	13	183	6.0	13.0
3	林碧霞	中国科学技术大学物理系中国科学技术大学	32	700	16.0	26.0
4	朱俊杰	中国科学技术大学物理系	39	448	14.0	19.0
5	杨震	中国科学技术大学物理系	28	179	8.0	13.0
6	彭聪	中国科学技术大学物理系	5	155	3.0	5.0