p-ZnO薄膜及其异质结的光电性质

• 作者: 丁瑞钦 张锐华 朱慧群 李毅 王忆 黄洁芳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 p型ZnO薄膜 磷掺杂 异质结
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 636-641
• 分类号: O482.31
• 字数: 4128字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结.对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、Ⅰ-Ⅴ特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试.结果表明,获得的ZnO∶P薄膜沿(0002)晶面高取向生长,以3.33 eV近带边紫外发光为主,伴有2.69 eV附近的深能级绿色发光峰,空穴浓度为8.982 × 1017/cm3,空穴迁移率为9.595 cm2/V·s,p-ZnO/n-Si异质结I-V整流特性明显,表明ZnO∶P薄膜具有p型导电特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李毅	上海理工大学光电信息与计算机工程学院	33	114	6.0	9.0
3	王忆	五邑大学应用物理与材料学院	59	242	8.0	12.0
4	朱慧群	上海理工大学光电信息与计算机工程学院	29	82	4.0	6.0
6	丁瑞钦	五邑大学应用物理与材料学院	29	115	6.0	9.0
11	黄洁芳	五邑大学应用物理与材料学院	1	4	1.0	1.0
12	张锐华	五邑大学应用物理与材料学院	1	4	1.0	1.0