p-Si单晶低表面复合速度的获得

• 作者: 颜永美
• 来源期刊: 厦门大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: p-Si单晶 低表面复合速度
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学·技术科学
• 页码范围: 1045-1050
• 页数: 6页
• 分类号: O472.1
• 字数: 3502字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2001.05.008

摘要

提出减低p-Si单晶表面复合速度参数值的两个行而有效的方法,解释了其不同的作用机理.实验表明,经HF腐蚀处理过的p-Si单晶,自然晾干的表面复合速度测算值比红外灯烘干的测算值低1个量级以上;而对于同一p-Si单晶,置于氮气氛围之中的测算值要比大气之中的测算值低2个量级以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜永美	厦门大学物理学系	5	9	2.0	3.0