LBO晶体超光滑表面抛光机理

• 作者: 朱镛 李军 陈创天
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: LBO晶体 化学机械抛光 超光滑表面 抛光机理 材料去除
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: O786
• 字数: 2716字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.01.005

摘要

胶体SiO2抛光LBO晶体获得无损伤的超光滑表面,结合前人对抛光机理的认识,探讨了超光滑表面抛光的材料去除机理,分析了化学机械抛光中的原子级材料去除机理.在此基础上,对胶体SiO2抛光LBO晶体表面材料去除机理和超光滑表面的形成进行了详细的描述,研究抛光液的pH值与材料去除率和表面粗糙度的关系.LBO晶体超光滑表面抛光的材料去除机理是抛光液与晶体表面的活泼原子层发生化学反应形成过渡的软质层,软质层在磨料和抛光盘的作用下很容易被无损伤的去除.酸性条件下,随抛光液pH值的减小抛光材料的去除率增大;抛光液pH值为4时,获得最好的表面粗糙度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李军	中国科学院理化技术研究所北京人工晶体研究发展中心	329	5514	37.0	61.0
5	陈创天	中国科学院理化技术研究所北京人工晶体研究发展中心	42	447	11.0	20.0
6	朱镛	中国科学院理化技术研究所北京人工晶体研究发展中心	8	172	6.0	8.0