化学气相沉积碳化硅超光滑抛光机理与表面粗糙度影响因素

• 作者: 康念辉 李圣怡 郑子文
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积碳化硅 纳米划痕试验 抛光机理 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 机电工程·控制工程·电子工程
• 页码范围: 89-94
• 页数: 6页
• 分类号: TH161
• 字数: 3355字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2486.2009.06.017

摘要

为实现化学气相沉积碳化硅(CVD SiC)的超光滑抛光,采用纳米划痕试验研究了化学气相沉积碳化硅脆塑转变的临界载荷,根据单颗磨粒受力对其抛光机理进行了分析,并从材料特性、工艺参数以及抛光液pH值三个方面对其表面粗糙度影响因素进行了系统的试验研究.研究结果表明:化学气相沉积碳化硅的稳定抛光过程是磨粒对碳化硅表面的塑性域划痕过程;CVD SiC的晶粒不均匀与表面高点会降低晟终所能达到的表面质量;表面粗糙度在一定范围内随磨粒粒度增加呈近似线性增长,随抛光模硬度的增加而增长;抛光压强对表面粗糙度的影响规律与抛光模的变形行为相关,当抛光模处于弹性或弹塑性变形阶段时,表面粗糙度随抛光压强的增加呈小幅增长,而当抛光模包含塑性变形之后,表面粗糙度基本与抛光压强无关;此外,抛光速度和抛光液pH值对表面粗糙度的影响不大.研究结论为CVD SiC超光滑抛光的工艺参数优化选择提供了定量的试验依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李圣怡	国防科技大学机电工程与自动化学院	186	3101	27.0	44.0
2	郑子文	国防科技大学机电工程与自动化学院	18	173	9.0	12.0
3	康念辉	国防科技大学机电工程与自动化学院	3	19	1.0	3.0