脉冲激光沉积法在SiO2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO3薄膜

• 作者: 叶志镇 曹亮亮 王新昌 赵炳辉
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: LiTaO3薄膜 SiO2/Si衬底 c轴取向 脉冲激光沉积
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 134-137,145
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2210字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.01.030

摘要

本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜.采用扫描电镜和原子力显微镜对最佳条件下制得薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀致密,薄膜表面粗糙度约为3.6nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	王新昌	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	30	79	4.0	7.0
4	曹亮亮	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	21	3.0	4.0