直流磁控溅射陶瓷靶制备ITO薄膜及性能研究

• 作者: 夏冬林 杨晟 王树林 赵修建
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控溅射 ITO薄膜 衬底温度 透过率
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 272-275,232
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2828字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.015

摘要

以10%质量分数SnO2和90%质量分数In2O3烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材,采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片上制备ITO透明导电薄膜,研究了基片温度和氧分压条件对ITO薄膜的物相结构和光电性能的影响.实验结果表明:ITO薄膜的方块电阻随衬底温度的升高而下降,而可见光透过率增大;ITO薄膜可见光透过率和方块电阻随氧分压的增加而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵修建	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	220	2735	25.0	43.0
2	夏冬林	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	43	437	11.0	20.0
3	杨晟	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	9	160	6.0	9.0
4	王树林	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	3	74	2.0	3.0