低开启电压的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管

• 作者: 严北平 刘新宇 吴德馨 和致经 孙海锋 郑丽萍
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 开启电压 GaAsSb 双异质结晶体管
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 318-321
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 1824字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.03.016

摘要

采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPN InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管(double heterojunction bipolar transistor,DHBT).器件性能如下:BE结的正向开启电压(turn-on voltage)仅为0.73V;当IB=1μA/step时,直流增益达到了100,BVCEO=5～6V.通过对基区不同Sb含量器件的比较得到,器件的直流特性与基区Sb的含量有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙海锋	中国科学院微电子中心	12	45	4.0	6.0
2	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
3	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
4	和致经	中国科学院微电子中心	36	229	9.0	13.0
5	郑丽萍	中国科学院微电子中心	5	86	2.0	5.0
6	严北平	中国科学院微电子中心	4	39	3.0	4.0