BF2+注入对PMOS晶体管开启电压的影响

• 作者: 王勇 邱晓海 黄维柱
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: BF2+注入 开启电压 硼穿透
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 46-49
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2001.03.011

摘要

文章研究了BF2+注入对PMOS晶体管开启电压的影响.试验发现,在我们的工艺条件下,BF2+注入能量是影响PMOS管开启电压的主要因素,能量高于67.5Kev的BF2+注入可导致开启电压正漂.而退火对开启电压正漂没有影响,F离子也没有促进B穿透.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王勇	清华大学微电子学研究所	115	1365	20.0	34.0
2	黄维柱	清华大学微电子学研究所	2	65	1.0	2.0
3	邱晓海	清华大学微电子学研究所	8	20	3.0	3.0