双栅无结晶体管阈值电压模型

• 作者: 刘陈 李悦 杨可萌 王超 郭宇锋 郭羽涵
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 无结晶体管 双栅 电势分布 阈值电压
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 313-316,322
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 字数: 2563字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201702.0313

摘要

无结晶体管是近年来纳米SOI MOS器件领域的研究热点,相对于传统晶体管具有明显的优势.本文针对全耗尽型无结晶体管,基于二维泊松方程,建立了电势分布解析模型.根据该模型可以得到阈值电压模型.利用建立的解析模型和半导体器件仿真软件MEDICI,探讨了栅压和器件结构参数对电势分布和阈值电压的影响.该模型简单且与仿真结果吻合良好.