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摘要:
通过用喷墨打印制备的ZnO/IGZO异质结代替单层半导体沟道克服了氧化物缺陷导致的电子传输限制.ZnO/IGZO异质结晶体管表现出带状电子传输,迁移率比单层IGZO或ZnO TFT分别增大了约9倍和19倍,达到6.42 cm2/(V·s).开关比分别增大了2个和4个数量级,达到1.8×108.性能的显著改善源自于IGZO和ZnO异质界面间由于导带的大偏移量而形成的二维电子气.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 喷墨打印金属氧化物异质结晶体管
来源期刊 发光学报 学科 工学
关键词 金属氧化物半导体 喷墨打印 异质结 二维电子气
年,卷(期) 2019,(4) 所属期刊栏目 器件制备及器件物理
研究方向 页码范围 497-503
页数 7页 分类号 TN321+.5
字数 4176字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20194004.0497
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张国成 福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室 12 9 2.0 2.0
3 崔宇 9 0 0.0 0.0
6 杨文宇 福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室 1 0 0.0 0.0
7 陈惠鹏 福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室 3 1 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
金属氧化物半导体
喷墨打印
异质结
二维电子气
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
出版文献量(篇)
4336
总下载数(次)
7
总被引数(次)
29396
相关基金
福建省自然科学基金
英文译名:Natural Science Foundation of Fujian Province of China
官方网址:http://www.fjinfo.gov.cn/fz/zrjj.htm
项目类型:重大项目
学科类型:
论文1v1指导