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摘要:
报道了用于超高速数字集成电路的0.5 μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 GHz以上的潜力.
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文献信息
篇名 用于超高速数字集成电路的0.5um InP/InGaAs双异质结晶体管
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 工学
关键词 磷化铟 双异质结晶体管 静态分频器
年,卷(期) 2016,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 263-266
页数 4页 分类号 TN3
字数 540字 语种 中文
DOI 10.11972/j.issn.1001-9014.2016.03.002
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研究主题发展历程
节点文献
磷化铟
双异质结晶体管
静态分频器
研究起点
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研究分支
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相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
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3
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28003
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