SiGe HBT大信号扩散电容模型研究

• 作者: 姜涛 宣荣喜 张鹤鸣 戴显英 李立 胡辉勇
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 异质结双极晶体管 存储电荷 扩散电容 PSPICE
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 82-84,87
• 页数: 4页
• 分类号: TN431
• 字数: 1672字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.01.023

摘要

基于SiGe HBT(异质结双极晶体管)大信号等效电路模型,建立了SiGe HBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型.该模型从SiGe HBT正反向传输电流出发,研究晶体管内可动载流子所引起的存储电荷(包括正向存储电荷和反向存储电荷)的基础上,同时考虑了厄利效应对载流子输运的影响,其物理意义清晰,拓扑结构简单.将基于大信号扩散电容模型的SiGe HBT模型嵌入PSPICE软件中,实现对SiGe HBT器件与电路的模拟分析.对该模型进行了直流特性模拟分析,直流模拟分析结果与文献报道的结果符合得较好,瞬态特性分析结果表明响应度好.