小尺寸MOS晶体管的漏致势垒降低效应建模

• 作者: 刘军 孙玲玲 陈磊
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 表面势 漏致势垒降低 阈值电压漂移
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TN411
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9146.2010.03.001

摘要

该文针对PSP模型中漏致势垒降低效应建模纯经验性的缺点,通过求解二维泊松方程得到漏致势垒降低效应引起阈值电压漂移的解析解,并将其应用于32nm 晶体管的直流I-V曲线拟合,结果显示此模型有很好的拟合精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙玲玲	杭州电子科技大学电子信息学院	68	213	8.0	9.0
2	陈磊	杭州电子科技大学电子信息学院	15	52	5.0	6.0
3	刘军	杭州电子科技大学电子信息学院	30	47	4.0	6.0