提高MOS功率晶体管封装可靠性技术研究

• 作者: 吴朝晖 张国俊 张国光 张顺 郑学仁 郑春扬
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 金属-氧化物-半导体器件 功率品体管 封装 导通电阻 器件可靠性
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 电子元器件与可靠性
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.6|TN323+.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2009.06.001

摘要

功率MOS晶体管的正向导通电阻是器件的重要指标,严重影响器件的使用可靠性.从封装材料、封装工艺等方面论述功率MOS管降低导通电阻、控制空洞、提高器件可靠性的封装技术,并通过一些实例来阐述工艺控制的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑学仁	华南理工大学电子与信息学院	72	463	12.0	17.0
2	吴朝晖	华南理工大学电子与信息学院	24	40	3.0	5.0
3	张国光		2	1	1.0	1.0
4	张顺		3	5	1.0	2.0
5	张国俊		1	1	1.0	1.0
6	郑春扬		1	1	1.0	1.0