低温SiGe/Si HBT的研制及性能分析

• 作者: 徐晨 杜金玉 沈光地 邓军 邹德恕 陈建新 高国 魏欢
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe/Si HBT 低温：高增益
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 285-286
• 页数: 3页
• 分类号: TN32
• 字数: 2181字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.02.038

摘要

用MBE（分子束外延，MolecularBeamEpitaxy）生长的材料研制了在低温工作的SiGe/SiHBT（异质结双极型晶体管，HeterojunctionBipolarTransistor）.其在液氮下的直流增益hfe（Ic/Ib）为16000，交流增益β（ΔIc/ΔIb）为26000，分别比室温增益提高51和73倍.测试了该HBT直流特性从室温到液氮范围内随温度的变化，并作了分析讨论.解释了极低温度时性能随温度变化与理论值的差异.