UVCVD/UHVCVD技术制备SiGe HBT材料

• 作者: 孙建诚 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe材料 紫外光能量辅助化学气相淀积 超高真空化学气相淀积 SiGe异质结双极晶体管
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 306-308,325
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055|TN325+.3
• 字数: 2409字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2003.03.005

摘要

介绍了一种新的制备SiGe/Si材料的化学气相沉积技术.该技术组合了紫外光化学气相沉积和超高真空化学气相沉积两种技术的优点,具有超高真空背景和低温淀积的特点.应用该技术在10-7Pa超高真空背景、450℃淀积温度及低于10Pa反应压力的条件下,外延生长了器件级SiGe HBT材料.SIMS分析表明,材料层界面清晰,Ge组分和掺杂分布平坦.此外,还研制出了SiGe HBT器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子所	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子所	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子所	102	510	12.0	16.0
4	孙建诚	西安电子科技大学微电子所	6	10	2.0	3.0