GaN_Si npn HBT特性研究

• 作者: 李建清 董果香
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结器件 物理模型 仿真 GaN
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 2247字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2013.01.002

摘要

采用二维器件仿真软件对GaN/Si异质结双极晶体管进行了特性仿真研究.对GaN/Si异质结双极晶体管建立了合理准确的物理模型,包括不完全电离模型、能带模型、能带变窄模型、迁移率模型与复合模型.结果表明,GaN/Si异质结开启电压为2.5 eV.在Ib=0.2 mA时,电流放大倍数为100倍.击穿电压为900V,使其在大功率器件方面有很大应用前景.最高截止频率为100 GHz,使其可工作在射频和微波频段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建清	电子科技大学物理电子学院	37	175	8.0	10.0
2	董果香	电子科技大学物理电子学院	2	4	1.0	2.0