新结构微波功率SiGe HBT的数值分析

• 作者: 亢宝位 刘亮 吴郁 王哲 王玉琦 肖波
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微波功率SiGe HBT MSG/MAG 最高振荡频率
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 96-101
• 页数: 6页
• 分类号: TN322
• 字数: 3399字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.020

摘要

提出一种新结构的微波功率SiGe异质结双极晶体管(SiGe HBT),该结构通过在传统SiGe HBT的外基区下的集电区中挖槽并填充SiO2的方法来改善器件的高频性能.将相同尺寸的新结构和传统结构的器件仿真结果进行比较,发现新结构器件的基区-集电区电容减少了55%,因而使器件的最大有效增益提高了大约2dB,其工作在低压(Vce=4.5V)和高压(Vce=28V)情况下的最高振荡频率分别提高了24%和10%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴郁	北京工业大学电子信息与控制工程学院	38	215	9.0	13.0
2	亢宝位	北京工业大学电子信息与控制工程学院	28	291	10.0	16.0
3	王哲	北京工业大学电子信息与控制工程学院	13	60	4.0	7.0
4	肖波	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	5	2.0	2.0
5	刘亮	北京工业大学电子信息与控制工程学院	10	90	6.0	9.0
6	王玉琦	香港科技大学物理系	5	16	2.0	4.0