基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究

• 作者: 刘嵘侃 刘玉奎 刘道广 张晓菊 张静 徐世六 徐学良 李培咸 李开成 胡辉勇 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 自对准 最高振荡频率 SiGe合金材料
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 432-434,488
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 1508字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2005.03.024

摘要

采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2 GHz的结果.