互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研究

• 作者: 何宝平 姚志斌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 电离辐射 总剂量 低剂量率 预估方法
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1985-1990
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

给出了一种新的预估互补金属氧化物半导体器件(CMOS器件)空间低剂量率辐射效应模型,相对线性响应预估模型,该模型在预估CMOS器件低剂量率辐射效应方面更接近实际试验结果,且不同剂量率辐射试验结果证实了所建模型的正确性.最后利用新建模型对处于空间低剂量率环境下CMOS器件的敏感参数进行了预估.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	姚志斌		35	171	8.0	10.0