超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应?

• 作者: 余徳昭 周航 崔江维 王汉宁 苏丹丹 郑齐文 魏莹
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 总剂量辐射效应 超深亚微米 金属氧化物半导体场效应晶体管 静态随机存储器
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 076102-1-076102-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.076102

摘要

对0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究.结果表明：在相同累积剂量， SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损伤，并且低剂量率辐照损伤要远大于高剂量率辐照加与低剂量率辐照时间相同的室温退火后的损伤.虽然NMOSFET 低剂量率辐照损伤略小于高剂量率辐照损伤，但室温退火后，高剂量率辐照损伤同样要远小于低剂量率辐照损伤.研究结果表明0.18μm CMOS工艺器件的辐射损伤不是时间相关效应.利用数值模拟的方法提出了解释CMOS器件剂量率效应的理论模型.