SOI器件X射线与60Coγ射线总剂量效应比较

• 作者: 何玉娟 张正选 恩云飞 罗宏伟
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 可靠性 辐射 总剂量效应 X射线 γ射线
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 416-419
• 分类号: TN306
• 字数: 3048字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.04.005

摘要

为进行10 keV X射线和60Co γ射线总剂量辐射效应的比较,采用这两种辐射源对SOI (Silicon-on-Insulator) n-MOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐照试验,分析了SOI NMOS器件在两种辐射源下辐照前后的阈值电压的漂移值并进行比较.实验结果表明,SOI NMOS器件的前栅特性中X射线与60Co γ射线辐照感生阈值电压漂移值的比值α随总剂量增加而增大,而背栅特性中α值在不同偏置条件下变化趋势是不同的;在总剂量为1×106 rad(Si)时,前栅器件α值为0.6～0.75,背栅器件α值为0.76～1.0.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何玉娟		9	51	4.0	7.0
2	罗宏伟		12	65	5.0	7.0
3	恩云飞		12	57	5.0	7.0
4	张正选	中科院上海微系统与信息技术研究所	2	12	1.0	2.0