一种提升抗单粒子能力的新型超结结构

• 作者: 宋李梅 王琳 王立新 罗家俊 韩郑生
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 超结器件 单粒子烧毁 单粒子栅穿 线性能量传输函数 单粒子效应
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 页码范围: 84-88
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

为了提升超结器件在空间辐照环境下的可靠性,针对额定电压为700V的超结器件提出了一种新型结构.加固的结构在标准SJVDMOS平面栅的基础上刻蚀掉部分栅极,同时引入了一个肖特基接触来提升器件的抗单粒子能力.2DsynopsyssentaurusTCAD对器件进行了仿真建模,并通过单粒子的瞬态仿真来评估器件的SEE性能,仿真结果表明加固之后的器件在单粒子效应下的整体安全工作区大幅增加,器件抗单粒子烧毁和抗单粒子栅穿的能力都明显提升,同时新型结构的电学性能也维持了良好的水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王琳	中国科学院微电子研究所	130	1264	16.0	33.0
10	宋李梅	中国科学院微电子研究所	18	56	5.0	5.0
11	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
13	罗家俊	中国科学院微电子研究所	28	56	5.0	5.0